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半導體硅質金屬光澤粉末提純設備

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    西安理工大學獲批2項國家自然科學基金重大科研儀器研制項目

    2021年12月3日(ri)? 日(ri)前,國家自然科(ke)(ke)學(xue)(xue)基金委(wei)員(yuan)會公(gong)布了 重(zhong)大科(ke)(ke)研(yan)(yan)儀器研(yan)(yan)制(zhi)項目(mu) 評審結(jie)果。西安(an)理(li)工大學(xue)(xue)材(cai)料科(ke)(ke)學(xue)(xue)與(yu)工程學(xue)(xue)院(yuan)梁淑(shu)華教授主(zhu)(zhu)持的(de)“金屬基復合材(cai)料粉末原(yuan)位制(zhi)備及(ji)其(qi) 半(ban)(ban)導(dao)(dao)體制(zhi)造主(zhu)(zhu)要步(bu)驟(zou)包括光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)、刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)、以(yi)及(ji)薄(bo)膜(mo)沉積三(san)大步(bu)驟(zou),并且不(bu)斷循(xun)環進(jin)行(xing),以(yi)構造出復雜精細的(de)電路結(jie)構。 而這三(san)個環節工藝(yi)的(de)先進(jin)程度也直接(jie)決定了晶(jing)圓廠(chang)生產高制(zhi)程產品的(de)能力,以(yi)及(ji)芯片的(de)應用(yong)性能。 刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)是利用(yong)化學(xue)(xue)或者物理(li)的(de)方(fang)法(fa)將晶(jing)圓表(biao)面附著的(de)不(bu)必要的(de)材(cai)質進(jin)行(xing)去除的(de)過程。 刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)工藝(yi)順序位于鍍膜(mo)和光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)之(zhi)后,即在晶(jing)圓上(shang)先將用(yong)于刻(ke)(ke)(ke)畫(hua)電路 一(yi)文看(kan)懂半(ban)(ban)導(dao)(dao)體刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)設(she)備 - 知(zhi)乎 - 知(zhi)乎專欄2021年11月25日(ri)? 半(ban)(ban)導(dao)(dao)體清洗(xi)(xi)技(ji)術可分為(wei)濕(shi)(shi)法(fa)和干法(fa)兩種,濕(shi)(shi)法(fa)清洗(xi)(xi)是目(mu)前主(zhu)(zhu)流(liu)技(ji)術路線,占芯片制(zhi)造清洗(xi)(xi)步(bu)驟(zou)數量的(de)90%以(yi)上(shang)。 濕(shi)(shi)法(fa)清洗(xi)(xi)采(cai)用(yong)特定的(de)化學(xue)(xue)藥液(ye)和去離子水(shui),對 半(ban)(ban)導(dao)(dao)體:半(ban)(ban)導(dao)(dao)體清洗(xi)(xi)設(she)備及(ji)市場現狀簡析 - 知(zhi)乎

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    半導體所用的高純硅是如何提純到 99.999999999% 的? - Zhihu

    2019年8月(yue)19日? 主(zhu)要(yao)操作就是(shi)將硅(gui)(gui)(gui)(gui)的氯化物蒸汽同氫(qing)氣混(hun)合,迅速噴入(ru)高(gao)溫反應爐,以(yi)(yi)高(gao)純硅(gui)(gui)(gui)(gui)為載體,反應生成的硅(gui)(gui)(gui)(gui)沉積在高(gao)純硅(gui)(gui)(gui)(gui)上。 此時可得純度達到 9N 的硅(gui)(gui)(gui)(gui)(但是(shi)是(shi)多(duo)晶 2016年7月(yue)4日? 在形狀和(he)尺寸上,光伏用單(dan)(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)是(shi)正方形,主(zhu)要(yao)有邊(bian)長 125mm,150mm,156mm 的種類。. 而半(ban)導(dao)體用單(dan)(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)是(shi)圓型,硅(gui)(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)直徑有 光伏用單(dan)(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)(gui)和(he)半(ban)導(dao)體用單(dan)(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)(gui)有什么區別? - Zhihu硅(gui)(gui)(gui)(gui)基(ji)半(ban)導(dao)體主(zhu)要(yao)運用于邏(luo)輯(ji)器(qi)件(jian)、存儲器(qi)、分立器(qi)件(jian)(功率二極管(guan)、三極管(guan)、晶閘管(guan))等。 主(zhu)要(yao)用于AI、手機、IOT、5G通信領(ling)域。 主(zhu)要(yao)因為硅(gui)(gui)(gui)(gui)元(yuan)素具有以(yi)(yi)下優勢: 1.安全無毒, 半(ban)導(dao)體行業基(ji)石硅(gui)(gui)(gui)(gui)(Si) - 知乎(hu) - 知乎(hu)專欄

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    工業硅的制備丨半導體行業 - Baidu

    2021年(nian)11月25日(ri)? 工(gong)業(ye)硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)備丨半導體行業(ye). 這樣制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)得(de)的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)純度(du)為(wei)97~98%,叫作粗硅(gui)(gui)。. 再將(jiang)它(ta)融化后重結(jie)晶,用酸除去雜(za)質(zhi),得(de)到純度(du)為(wei)99.7~99.8%的(de)(de)(de)純硅(gui)(gui)。. 如要將(jiang)它(ta)做成 6 小時前? 中(zhong)(zhong)(zhong)國粉(fen)體網訊 石英(ying)(ying)具有(you)硬(ying)度(du)高、化學性(xing)(xing)能穩定、隔熱(re)性(xing)(xing)好等優點,是一種(zhong)重要的(de)(de)(de)戰略(lve)性(xing)(xing)非金屬礦(kuang)資源(yuan),在(zai)光(guang)伏(fu)產業(ye)鏈中(zhong)(zhong)(zhong)發揮著重要的(de)(de)(de)作用。. 太陽能多晶硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)上游原(yuan)(yuan)材料: 光(guang)伏(fu)產業(ye)鏈中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)三種(zhong)石英(ying)(ying)原(yuan)(yuan)料,它(ta)們有(you)何不(bu)同? - 中(zhong)(zhong)(zhong)國粉(fen)體網2021年(nian)1月15日(ri)? 合成的(de)(de)(de)氮化硅(gui)(gui)為(wei)不(bu)均(jun)勻(yun)的(de)(de)(de)塊(kuai)狀,因此,還(huan)需(xu)要用球磨(mo)或者其他的(de)(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)備成氮化硅(gui)(gui)粉(fen)末,效(xiao)率不(bu)高,在(zai)過程中(zhong)(zhong)(zhong)還(huan)容易引入雜(za)質(zhi); (2)碳熱(re)還(huan)原(yuan)(yuan)法(fa). 碳熱(re)還(huan)原(yuan)(yuan)法(fa)是在(zai)高溫 氮化硅(gui)(gui)粉(fen)末常用的(de)(de)(de)6種(zhong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)備方(fang)(fang)法(fa)_反應 - Sohu

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    半導體硅材料_百度百科

    半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)材(cai)料 (semiconductor silicon)是(shi)最主(zhu)(zhu)要的(de) 元素(su)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)材(cai)料 ,包括硅(gui)(gui)(gui)(gui)多晶(jing)、硅(gui)(gui)(gui)(gui)單晶(jing)、硅(gui)(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)、硅(gui)(gui)(gui)(gui)外延(yan)片(pian)(pian)(pian)、非晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)薄膜等,可直(zhi)接或(huo)間接用于制備半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)器件。 中文名 半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)材(cai) 半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)工藝(yi)設備為半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)大(da)規模制造提供制造基礎。. 摩爾定律,給電子業描繪(hui)的(de)前景,必將(jiang)是(shi)未來半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)器件的(de)集(ji)成化、微型化程(cheng)度更(geng)高(gao),功能更(geng)強大(da)。. 以(yi)下是(shi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)生(sheng)產過程(cheng)中的(de)主(zhu)(zhu)要設備。. 一、半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)濕制程(cheng)設備. 1清(qing)洗工藝(yi)簡(jian)易:由于集(ji)成電路內各組件及 ...半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)制造主(zhu)(zhu)要設備 - 知乎圖5半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)棒(bang)(bang)及硅(gui)(gui)(gui)(gui)桶硅(gui)(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)產品圖示(shi) 采(cai)用西門(men)子法可以(yi)制備高(gao)純多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui),然后以(yi)多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)為原(yuan)料,采(cai)用直(zhi)拉法或(huo)懸浮區(qu)熔法從熔體(ti)(ti)中生(sheng)長出棒(bang)(bang)狀單晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)。 單晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)圓片(pian)(pian)(pian)按其直(zhi)徑主(zhu)(zhu)要分(fen)為6英寸、8英寸、12英寸及18 英寸等。一文讀(du)懂多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)及其產業形勢(shi)_騰(teng)訊新聞

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    為什么用高純度硅制作半導體材料? - 知乎

    2014年10月21日? 后(hou)來(lai),當(dang)硅(gui)(gui)提純成(cheng)(cheng)熟(shu)(shu)以后(hou)硅(gui)(gui)就替(ti)代(dai)鍺成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)(wei)了主要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料(liao)。. 原(yuan)因大(da)概有以下幾個:. 1.地殼中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)元素的(de)(de)(de)(de)(de)含(han)量很高(gao)。. 以我們現在(zai)(zai)的(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)硅(gui)(gui)材(cai)(cai)料(liao)使用(yong)情況(kuang)來(lai)看,如果(guo)我們還(huan)在(zai)(zai)用(yong)鍺的(de)(de)(de)(de)(de)話,地球(qiu)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)鍺元素可能已經所剩無多(duo)(個人感覺(jue),沒有具(ju)體(ti)計算過 ...以SiC為(wei)(wei)(wei)代(dai)表(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)第三(san)代(dai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)大(da)功率電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子器(qi)(qi)(qi)件是目(mu)前(qian)在(zai)(zai)電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子領域(yu)發展最快的(de)(de)(de)(de)(de)功率半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)器(qi)(qi)(qi)件之一。. 碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)作為(wei)(wei)(wei)第三(san)代(dai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)典(dian)型代(dai)表(biao),也是目(mu)前(qian)晶(jing)體(ti)生(sheng)產(chan)技術和器(qi)(qi)(qi)件制造水平最成(cheng)(cheng)熟(shu)(shu),應(ying)用(yong)最廣泛(fan)的(de)(de)(de)(de)(de)寬禁帶半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料(liao)之一,目(mu)前(qian)在(zai)(zai)已經形成(cheng)(cheng)了全(quan)球(qiu)的(de)(de)(de)(de)(de) ...三(san)分鐘了解第三(san)代(dai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料(liao):碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(SiC) - 知(zhi)乎這種方法制得的(de)(de)(de)(de)(de)都是不夠純凈的(de)(de)(de)(de)(de)無定形硅(gui)(gui),為(wei)(wei)(wei)棕(zong)黑色(se)粉末。. 晶(jing)體(ti)硅(gui)(gui)可以用(yong)碳(tan)在(zai)(zai)電(dian)(dian)爐中(zhong)還(huan)原(yuan)二氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)制得。. 工(gong)業上(shang)生(sheng)產(chan)硅(gui)(gui)是在(zai)(zai)電(dian)(dian)弧爐中(zhong)還(huan)原(yuan) 硅(gui)(gui)石(shi) (SiO2含(han)量大(da)于99%)。. 使用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)還(huan)原(yuan)劑為(wei)(wei)(wei)石(shi)油(you)焦和木炭(tan)等。. 使用(yong)直流電(dian)(dian)弧爐時(shi),能全(quan)部用(yong)石(shi)油(you)焦代(dai)替(ti)木炭(tan)。. 石(shi)油(you)焦的(de)(de)(de)(de)(de) ...硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)(de)制取及硅(gui)(gui)片的(de)(de)(de)(de)(de)制備_工(gong)業硅(gui)(gui)-金屬百(bai)科(ke)

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    半導體異質集成電路 - 知乎

    半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)異(yi)質(zhi)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路,就是將不同(tong)工(gong)藝節點的(de)化合物(wu)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)高(gao)(gao)性能器件(jian)或芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)、硅基(ji)低(di)成(cheng)(cheng)(cheng)本高(gao)(gao)集成(cheng)(cheng)(cheng)器件(jian)成(cheng)(cheng)(cheng)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)(都(dou)含光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)子器件(jian)或芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)),與(yu)無源元件(jian)或天線,通(tong)過異(yi)質(zhi)鍵(jian) 合成(cheng)(cheng)(cheng) 或外(wai)研(yan)生長(chang)等方式(shi)集成(cheng)(cheng)(cheng)而實現的(de)。. 異(yi)質(zhi)集成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路特色突出:. 可以融(rong)合不同(tong)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti) ...2016年7月5日(ri)? 在形(xing)狀和(he)尺寸上,光(guang)(guang)伏用(yong)(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)硅片(pian)(pian)(pian)(pian)是正方形(xing),主要有(you)邊長(chang) 125mm,150mm,156mm 的(de)種類(lei)。. 而半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)用(yong)(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)硅片(pian)(pian)(pian)(pian)是圓型,硅片(pian)(pian)(pian)(pian)直徑有(you) 150mm(6 寸晶(jing)(jing)圓),200mm(8 寸晶(jing)(jing)圓)和(he) 300mm(12 寸晶(jing)(jing)圓)尺寸。. 在純(chun)度(du)方面,光(guang)(guang)伏用(yong)(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)硅片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)純(chun)度(du)要求(qiu)硅含量為 4N-6N 之(zhi)間(99.99%-99. ...光(guang)(guang)伏用(yong)(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)硅和(he)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)用(yong)(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)硅有(you)什(shen)么區(qu)(qu)別(bie)? - 知(zhi)乎2019年12月22日(ri)? 這里的(de)五價(jia)元素(su)(su)是V族(zu)元素(su)(su),它們(men)包括5個價(jia)電(dian)(dian)(dian)子,它們(men)允許(xu)它們(men)作為供體(ti)工(gong)作。. 這些元素(su)(su)如銻、磷或砷的(de)數量提(ti)供自由電(dian)(dian)(dian)子,因此本征半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)電(dian)(dian)(dian)導(dao)(dao)(dao)率將大大提(ti)高(gao)(gao)。. 例如,一旦Si晶(jing)(jing)體(ti)摻(chan)(chan)雜了III族(zu)元素(su)(su)(如硼),就會(hui)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng) P型半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti) ,但(dan)Si晶(jing)(jing)體(ti)摻(chan)(chan)雜有(you)V族(zu)元 在N型半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)中,不同(tong)摻(chan)(chan)雜元素(su)(su)會(hui)造成(cheng)(cheng)(cheng)什(shen)么區(qu)(qu)別(bie)? - 知(zhi)乎

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    2022年中國稀土行業研究報告 - 知乎

    稀土永磁(ci)材料是(shi)(shi)將釤、釹(nv)混合稀土金(jin)(jin)(jin)(jin)屬與過(guo)渡金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(如鈷、鐵等)組成(cheng)的合金(jin)(jin)(jin)(jin),永粉末冶金(jin)(jin)(jin)(jin)方法壓(ya)型燒結,經磁(ci)場充磁(ci)后(hou)制得的一種(zhong)磁(ci)性材料。 目前稀土永磁(ci)分(fen)第一代釤鈷永磁(ci)體(ti)以(yi)SmCo5合金(jin)(jin)(jin)(jin)為(wei)代表(biao),第二代釤鈷永磁(ci)體(ti)以(yi)Sm2Co17合金(jin)(jin)(jin)(jin)為(wei)代表(biao),第三(san)代釹(nv)鐵硼永磁(ci)體(ti)以(yi) ...2021年9月(yue)12日(ri)? 硅(gui)(gui)(gui)(gui)是(shi)(shi)最(zui)(zui)常(chang)見應(ying)用(yong)最(zui)(zui)廣的半導體(ti)材料,用(yong)鎂(mei)還(huan)(huan)原(yuan)二氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)可(ke)得無(wu)定形硅(gui)(gui)(gui)(gui)。用(yong)碳在電(dian)爐中還(huan)(huan)原(yuan)二氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)可(ke)得晶(jing)(jing)(jing)體(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui),電(dian)子工(gong)業(ye)(ye)中用(yong)的高純(chun)硅(gui)(gui)(gui)(gui)則(ze)是(shi)(shi)用(yong)氫氣還(huan)(huan)原(yuan)三(san)氯(lv)氫硅(gui)(gui)(gui)(gui)或(huo)四氯(lv)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)而制得。單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)當熔(rong)融(rong)的單(dan)質硅(gui)(gui)(gui)(gui)凝固(gu)時,硅(gui)(gui)(gui)(gui)原(yuan)子以(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)剛石晶(jing)(jing)(jing)格排列(lie)成(cheng)晶(jing)(jing)(jing)核,其晶(jing)(jing)(jing)核長成(cheng)晶(jing)(jing)(jing)面(mian)取向(xiang)相同的晶(jing)(jing)(jing)粒,形成(cheng)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)。單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui),多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui),金(jin)(jin)(jin)(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)(gui),工(gong)業(ye)(ye)硅(gui)(gui)(gui)(gui),有(you)機硅(gui)(gui)(gui)(gui),詳細(xi)科普圖解,覆蓋產業(ye)(ye)鏈龍(long)頭(tou)企業(ye)(ye) 硅(gui)(gui)(gui)(gui)是(shi)(shi)最(zui)(zui)常(chang)見應(ying)用(yong)最(zui)(zui)廣的半導體(ti)材料,用(yong)鎂(mei)還(huan)(huan)原(yuan)二氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)可(ke)得無(wu)定形硅(gui)(gui)(gui)(gui) 再(zai)將金(jin)(jin)(jin)(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)(gui)融(rong)化(hua)后(hou)進(jin)行重(zhong)結晶(jing)(jing)(jing),用(yong)酸(suan)除去雜質,得到(dao)純(chun)度為(wei)99. 7%~99. 8%的金(jin)(jin)(jin)(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)(gui)。 如要將它做成(cheng)半導體(ti)用(yong)硅(gui)(gui)(gui)(gui),還(huan)(huan)要將其轉化(hua)成(cheng)易(yi)于提純(chun)的液(ye)體(ti)或(huo)氣體(ti)形式,再(zai)經蒸(zheng)餾、分(fen)解過(guo)程(cheng)得到(dao)多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui),如需得到(dao)高純(chun)度的硅(gui)(gui)(gui)(gui),則(ze)需要進(jin)行進(jin)一步的提純(chun)處(chu)理。金(jin)(jin)(jin)(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)(gui)_化(hua)工(gong)百科

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    結晶硅_化工百科

    再(zai)將金(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)融化(hua)(hua)后進(jin)行重結晶,用(yong)(yong)酸除去雜質(zhi),得(de)(de)到(dao)純(chun)(chun)度為99. 7%~99. 8%的(de)(de)金(jin)屬硅(gui)(gui)(gui)。 如要(yao)將它做成(cheng)(cheng)(cheng)半導體用(yong)(yong)硅(gui)(gui)(gui),還(huan)要(yao)將其轉化(hua)(hua)成(cheng)(cheng)(cheng)易(yi)于提(ti)純(chun)(chun)的(de)(de)液體或氣(qi)體形式,再(zai)經蒸餾、分解過(guo)程(cheng)得(de)(de)到(dao)多晶硅(gui)(gui)(gui),如需得(de)(de)到(dao)高(gao)(gao)(gao)純(chun)(chun)度的(de)(de)硅(gui)(gui)(gui),則(ze)需要(yao)進(jin)行進(jin)一步的(de)(de)提(ti)純(chun)(chun)處(chu)理。2021年1月15日(ri)? 合成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)為不(bu)均勻的(de)(de)塊狀,因此,還(huan)需要(yao)用(yong)(yong)球磨或者(zhe)其他的(de)(de)方法(fa)(fa)制(zhi)備成(cheng)(cheng)(cheng)氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末(mo),效(xiao)率(lv)不(bu)高(gao)(gao)(gao),在過(guo)程(cheng)中(zhong)還(huan)容易(yi)引(yin)入雜質(zhi); (2)碳(tan)(tan)熱(re)還(huan)原(yuan)法(fa)(fa). 碳(tan)(tan)熱(re)還(huan)原(yuan)法(fa)(fa)是(shi)在高(gao)(gao)(gao)溫氮氣(qi)環境下,用(yong)(yong)碳(tan)(tan)還(huan)原(yuan)SiO2粉,SiO2首先被還(huan)原(yuan)成(cheng)(cheng)(cheng)氣(qi)相SiO,氣(qi)相SiO和(he)氣(qi)氛中(zhong)的(de)(de)氮氣(qi)反(fan)應生成(cheng)(cheng)(cheng)氮 氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末(mo)常(chang)用(yong)(yong)的(de)(de)6種制(zhi)備方法(fa)(fa)_反(fan)應這種方法(fa)(fa)制(zhi)得(de)(de)的(de)(de)都是(shi)不(bu)夠純(chun)(chun)凈的(de)(de)無(wu)定形硅(gui)(gui)(gui),為棕黑色粉末(mo)。. 晶體硅(gui)(gui)(gui)可以用(yong)(yong)碳(tan)(tan)在電(dian)(dian)爐(lu)中(zhong)還(huan)原(yuan)二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)制(zhi)得(de)(de)。. 工業上(shang)生產(chan)硅(gui)(gui)(gui)是(shi)在電(dian)(dian)弧爐(lu)中(zhong)還(huan)原(yuan) 硅(gui)(gui)(gui)石 (SiO2含(han)量大于99%)。. 使(shi)用(yong)(yong)的(de)(de)還(huan)原(yuan)劑為石油焦和(he)木炭等。. 使(shi)用(yong)(yong)直流(liu)電(dian)(dian)弧爐(lu)時,能全(quan)部用(yong)(yong)石油焦代替木炭。. 石油焦的(de)(de) ...硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)制(zhi)取及硅(gui)(gui)(gui)片的(de)(de)制(zhi)備_工業硅(gui)(gui)(gui)-金(jin)屬百科

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    工業硅的制備丨半導體行業

    2021年(nian)11月(yue)25日? 工業(ye)硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)制(zhi)(zhi)備丨半(ban)(ban)(ban)導體(ti)行業(ye). 這樣制(zhi)(zhi)得(de)的(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)純(chun)度(du)(du)為(wei)(wei)97~98%,叫作(zuo)粗硅(gui)(gui)(gui)。. 再將(jiang)它融化(hua)后重結(jie)晶(jing),用(yong)(yong)酸(suan)除去雜質,得(de)到(dao)純(chun)度(du)(du)為(wei)(wei)99.7~99.8%的(de)(de)純(chun)硅(gui)(gui)(gui)。. 如(ru)要(yao)(yao)將(jiang)它做(zuo)成(cheng)(cheng)(cheng)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)用(yong)(yong)硅(gui)(gui)(gui),還要(yao)(yao)將(jiang)其(qi)(qi)轉化(hua)成(cheng)(cheng)(cheng)易于(yu)提純(chun)的(de)(de)液(ye)體(ti)或(huo)氣(qi)體(ti)形式,再經(jing)蒸餾、分解過(guo)程(cheng)得(de)到(dao)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)。. 如(ru)需 世(shi)界上直拉硅(gui)(gui)(gui)單(dan)(dan)晶(jing)和區熔(rong)硅(gui)(gui)(gui)單(dan)(dan)晶(jing)的(de)(de)用(yong)(yong)量約為(wei)(wei)9:1,直拉硅(gui)(gui)(gui)主要(yao)(yao)用(yong)(yong)于(yu)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)和晶(jing)體(ti)管,其(qi)(qi)中用(yong)(yong)于(yu)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)直拉硅(gui)(gui)(gui)單(dan)(dan)晶(jing)由于(yu)其(qi)(qi)有明確的(de)(de)規格,且其(qi)(qi)技術要(yao)(yao)求嚴格,成(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)(wei)單(dan)(dan)獨一類稱(cheng)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)用(yong)(yong)硅(gui)(gui)(gui)單(dan)(dan)晶(jing)。區熔(rong)硅(gui)(gui)(gui)主要(yao)(yao)用(yong)(yong)于(yu)制(zhi)(zhi)作(zuo)電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子(zi)元件,純(chun)度(du)(du)極高的(de)(de)區熔(rong)硅(gui)(gui)(gui)還用(yong)(yong)于(yu) ...半(ban)(ban)(ban)導體(ti)硅(gui)(gui)(gui)材(cai)(cai)料_百(bai)度(du)(du)百(bai)科(ke)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)——半(ban)(ban)(ban)導體(ti)行業(ye)之(zhi)基(ji)石(shi)(1). 僅做(zuo)知識分享,侵權聯(lian)系刪除!. 硅(gui)(gui)(gui)片(pian)是由高純(chun)結(jie)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)為(wei)(wei)材(cai)(cai)料制(zhi)(zhi)造的(de)(de)圓片(pian),一般(ban)作(zuo)為(wei)(wei)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)和半(ban)(ban)(ban)導體(ti)器件的(de)(de)載(zai)體(ti)。. 與其(qi)(qi)他材(cai)(cai)料相比,結(jie)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)分子(zi)結(jie)構非常穩(wen)定,很少有自由電(dian)(dian)子(zi)產生,因此其(qi)(qi)導電(dian)(dian)性極低(di)。. 硅(gui)(gui)(gui)基(ji)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料 ...硅(gui)(gui)(gui)片(pian)——半(ban)(ban)(ban)導體(ti)行業(ye)之(zhi)基(ji)石(shi)(1)_騰訊(xun)新聞

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    為什么用高純度硅制作半導體材料? - 知乎

    2014年(nian)(nian)10月21日? 后來(lai)(lai),當硅(gui)(gui)提(ti)純成熟以(yi)后硅(gui)(gui)就替代鍺(zang)成為(wei)了主要的(de)(de)半(ban)導體(ti)材料。. 原(yuan)因(yin)大概有以(yi)下幾個(ge)(ge):. 1.地殼中(zhong)的(de)(de)硅(gui)(gui)元素的(de)(de)含量(liang)很(hen)高。. 以(yi)我(wo)們現在(zai)(zai)(zai)的(de)(de)半(ban)導體(ti)硅(gui)(gui)材料使用(yong)(yong)情況(kuang)來(lai)(lai)看,如(ru)果(guo)我(wo)們還在(zai)(zai)(zai)用(yong)(yong)鍺(zang)的(de)(de)話,地球上(shang)的(de)(de)鍺(zang)元素可(ke)能已(yi)經所剩(sheng)無多(個(ge)(ge)人感(gan)覺(jue),沒有具體(ti)計算過 ...硅(gui)(gui)變成晶(jing)(jing)圓(yuan)片要經歷(li)三個(ge)(ge)重要步驟. 具體(ti)來(lai)(lai)看,硅(gui)(gui)變成晶(jing)(jing)圓(yuan)可(ke)以(yi)劃分為(wei)三個(ge)(ge)步驟:硅(gui)(gui)提(ti)煉(lian)及提(ti)純、單晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)生長、晶(jing)(jing)圓(yuan)成型。 那么如(ru)何(he)從多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)中(zhong)得到單晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)呢(ni)?最常用(yong)(yong)的(de)(de)是直拉法(fa),將(jiang)多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)放在(zai)(zai)(zai)石英坩(gan)堝中(zhong),用(yong)(yong)1400℃的(de)(de)溫度在(zai)(zai)(zai)外(wai)圍保持加熱,就會產(chan)生多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)熔(rong)化物。為(wei)什么要用(yong)(yong)硅(gui)(gui)材料做芯片?未來(lai)(lai)有材料能取而代之(zhi)嗎(ma)_騰訊(xun)新聞2012年(nian)(nian)10月19日? 工(gong)業硅(gui)(gui)的(de)(de)冶煉(lian)是一個(ge)(ge)高耗能工(gong)業,每(mei)噸工(gong)業硅(gui)(gui)的(de)(de)耗電大約在(zai)(zai)(zai)10000kwh左(zuo)(zuo)右(you),中(zhong)國是世界上(shang)冶金(jin)級(ji)硅(gui)(gui)產(chan)量(liang)最多的(de)(de)國家(jia)之(zhi)一,年(nian)(nian)產(chan)量(liang)在(zai)(zai)(zai)60~100萬噸左(zuo)(zuo)右(you)。. 其次是巴西,其年(nian)(nian)產(chan)量(liang)大約也在(zai)(zai)(zai)50萬噸以(yi)上(shang)。. 大約55%左(zuo)(zuo)右(you)的(de)(de)冶金(jin)硅(gui)(gui)用(yong)(yong)于煉(lian)鋁(lv)工(gong)業中(zhong),只(zhi)需(xu)添加少許(約百分之(zhi)幾 ...硅(gui)(gui)的(de)(de)冶煉(lian)和高純硅(gui)(gui)的(de)(de)制備.ppt - 豆丁網(wang)

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    國內目前的主要半導體硅料廠商有哪些(指已經量產的)? - 知乎

    2021年(nian)6月26日? 滬硅產業(688126). 公司成(cheng)立于2015年(nian),是(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)國大陸規模(mo)最大的(de)半導體(ti)硅片制(zhi)造商之(zhi)一,為(wei)多(duo)家主流半導體(ti)企(qi)(qi)業提(ti)供產品,產品類型涵蓋300mm拋光片及外延片、200mm及以下拋光片、外延片及SOI硅片,是(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)國大陸率先實現300mm半導體(ti)硅片規模(mo)化(hua)(hua)銷售的(de)企(qi)(qi)業,填補了我國 ...主要用作(zuo)制(zhi)多(duo)晶硅、單晶硅、硅鋁合金(jin)及硅鋼合金(jin)的(de)化(hua)(hua)合物. 用于制(zhi)合金(jin)、有機硅化(hua)(hua)合物和四氯化(hua)(hua)硅等(deng),是(shi)一種(zhong)極重要的(de)半導體(ti)材料(liao)(liao)。. 生產方(fang)法(fa)(fa). 三(san)氯氫硅法(fa)(fa)將(jiang)干燥的(de)硅粉(fen)加入合成(cheng)爐中(zhong)(zhong)(zhong),與通人的(de)干燥氯化(hua)(hua)氫氣(qi)體(ti)在(zai)280~330℃有氯化(hua)(hua)亞銅催化(hua)(hua)劑存在(zai)下進行(xing)氯化(hua)(hua)反(fan)應 ...工業硅_化(hua)(hua)工百科(ke)稀土(tu)(tu)永(yong)(yong)磁(ci)(ci)材料(liao)(liao)是(shi)將(jiang)釤(shan)、釹混合稀土(tu)(tu)金(jin)屬(shu)與過渡金(jin)屬(shu)(如(ru)鈷、鐵等(deng))組成(cheng)的(de)合金(jin),永(yong)(yong)粉(fen)末冶金(jin)方(fang)法(fa)(fa)壓型燒結,經磁(ci)(ci)場充磁(ci)(ci)后制(zhi)得的(de)一種(zhong)磁(ci)(ci)性材料(liao)(liao)。 目前稀土(tu)(tu)永(yong)(yong)磁(ci)(ci)分(fen)第一代(dai)釤(shan)鈷永(yong)(yong)磁(ci)(ci)體(ti)以SmCo5合金(jin)為(wei)代(dai)表,第二(er)代(dai)釤(shan)鈷永(yong)(yong)磁(ci)(ci)體(ti)以Sm2Co17合金(jin)為(wei)代(dai)表,第三(san)代(dai)釹鐵硼永(yong)(yong)磁(ci)(ci)體(ti)以 ...2022年(nian)中(zhong)(zhong)(zhong)國稀土(tu)(tu)行(xing)業研究報告(gao) - 知乎

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    半導體材料--硅和鍺的化學制備 - 豆丁網

    2015年(nian)(nian)3月(yue)24日(ri)(ri)? 第一章硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和(he)鍺(zang)的(de)(de)化學制備1.1硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和(he)鍺(zang)的(de)(de)物理(li)化學性(xing)質一、Si和(he)Ge物理(li)性(xing)質Si、Ge——元(yuan)素周期表中(zhong)第族元(yuan)素Si——銀(yin)白色Ge——灰色晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)硬而(er)(er)脆(cui)二者熔體(ti)(ti)(ti)(ti)密度(du)比(bi)固體(ti)(ti)(ti)(ti)密度(du)大(da)(da),故熔化后會(hui)體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)收縮(suo)(suo) (鍺(zang)收縮(suo)(suo)5.5%,而(er)(er)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)大(da)(da)約收縮(suo)(suo)10%)SiGe室溫E1.1060.67本(ben)征電(dian)阻率2.31046.0遷移率 ...2015年(nian)(nian)7月(yue)14日(ri)(ri)? Semiconductor Technology Vol. 27 No. 2February 2002半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材料(liao)(liao)最新(xin)(xin)發展(zhan)現狀(zhuang)(zhuang)蔣榮華峨眉半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材料(liao)(liao)研究所四川 峨眉山 614200)摘要(yao)概(gai)述了現代微電(dian)子工(gong)業(ye)的(de)(de)發展(zhan)狀(zhuang)(zhuang)況(kuang)(kuang)及對半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材料(liao)(liao)的(de)(de)新(xin)(xin)要(yao)求敘述了近年(nian)(nian)來國際半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)多晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和(he)單晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材料(liao)(liao)的(de)(de)發展(zhan)狀(zhuang)(zhuang)況(kuang)(kuang)與趨勢(shi)關鍵詞半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)多晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)中(zhong)圖分(fen)類號TN304.12 ...半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材料(liao)(liao)最新(xin)(xin)發展(zhan)現狀(zhuang)(zhuang)(PDF) - 豆(dou)丁網2017年(nian)(nian)12月(yue)26日(ri)(ri)? 金(jin)屬(shu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)又稱工(gong)業(ye)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)或結晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui),通常是(shi)在電(dian)爐(lu)中(zhong)由碳還(huan)原(yuan)二氧化硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)而(er)(er)制得。. 其主要(yao)用途是(shi)作為非(fei)鐵(tie)基合金(jin)的(de)(de)添加劑和(he)生產半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)、有機(ji)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)的(de)(de)起(qi)始原(yuan)料(liao)(liao)。. 在我國,金(jin)屬(shu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)通常按(an)(an)其所含(han)的(de)(de)鐵(tie)、鋁、鈣(gai)三種主要(yao)雜(za)質的(de)(de)含(han)量來分(fen)類。. 按(an)(an)照金(jin)屬(shu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)中(zhong)鐵(tie)、鋁、鈣(gai)的(de)(de)百分(fen)比(bi) ...金(jin)屬(shu)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(工(gong)業(ye)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui))是(shi)怎樣煉(lian)成的(de)(de)(一)

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    硅(化學元素)_百度百科

    硅(Silicon),是(shi)一(yi)(yi)種(zhong)化學元(yuan)(yuan)素(su),化學符號(hao)是(shi)Si,舊稱矽。原(yuan)子序數14,相對原(yuan)子質量28.0855,有無定形(xing)硅和晶體硅兩種(zhong)同素(su)異形(xing)體,屬于元(yuan)(yuan)素(su)周(zhou)期表上第三周(zhou)期,IVA族(zu)的(de)類(lei)金屬元(yuan)(yuan)素(su)。硅也(ye)是(shi)極(ji)(ji)為常見的(de)一(yi)(yi)種(zhong)元(yuan)(yuan)素(su),然(ran)而(er)它極(ji)(ji)少以(yi)單質的(de)形(xing)式在(zai)自然(ran)界出現(xian),而(er)是(shi)以(yi)復雜的(de)硅酸鹽或二氧化硅的(de)形(xing)式,廣(guang)泛存(cun)在(zai) ...